第186章N-漂移层
高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求
对于他来说，目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了
而且他用的技术也并非纯正的离子注入，正如之前有弹幕说的
他使用的是离子掺杂，而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’
第186章N-漂移层
病娇大佬的软萌小哭包：63 发表于 2021-09-09 15:11:40高能离子注入这是对现代化集成芯片的要求
天灾末世行：63、第 63 章 发表于 2021-06-06 07:54:04对于他来说，目前只要能将铝离子注入到碳化硅晶体中形成一个过渡层就足够了
杨羽李若水：第489章 终章 发表于 2020-04-03 10:59:21而且他用的技术也并非纯正的离子注入，正如之前有弹幕说的
梦中的丧尸：第218章发现内奸 发表于 2019-07-16 13:16:43他使用的是离子掺杂，而且是离子掺杂中的‘渗透掺杂法’
天天带早餐，还说是高冷校花？：第498章 作者身份曝光 发表于 2022-06-02 00:18:24